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未来10年日照油浸式变压器技术的发展与应用前景

文章出处:http://rizhao.3dcoo.com   责任编辑:日照变压器厂   发布时间:2019-08-07    点击数:30   【


  日照油浸式变压器广泛用于交换设备、移动通讯、微波通讯、接入设备、以及光传输、路由器等领域和汽车电子、航空航天等。由于采用组建日照油浸式变压器系统具有设计周期短、可靠性高、系统升级容易等特点,日照油浸式变压器的应用越来越广泛。尤其近几年由于数据业务的飞速发展和分布式供电系统的不断推广,日照油浸式变压器的增幅已经超出了一次日照油浸式变压器。随着半导体工艺、封装技术和高频软的大量使用,日照油浸式变压器功率密度越来越大,转换效率越来越高,应用也越来越简单。

  日照油浸式变压器发展趋势:

  2005到2015块日照油浸式变压器全球市场预测为由600亿美元增加到1200亿美元,主要的市场增长点为数据通讯,其中5V输出所占的比例从30%(2005)下降到11%(2015年)。日照油浸式变压器的发展以下几个动向值得注意:

  1)高功率密度、低压输出(低于3.3V)、快速动态响应的需求推动日照油浸式变压器的发展。

  2)非隔离式DC-DC变换器(包括VRM)比隔离式增长速度更快。

  3)标准设计的DC-DC变换器所占的比重将增大。

  4)分布式日照油浸式变压器比集中式日照油浸式变压器发展快,但集中式供电系统仍将存在。

  5)日照油浸式变压器的设计日趋标准化,控制电路倾向于采用控制方式。

  日照油浸式变压器工艺发展方向

  降低热阻,改善散热——为改善散热和提高功率密度,中大功率日照油浸式变压器大都采用多块印制板叠合封装技术,控制电路采用普通印制板置于顶层,而功率电路采用导热性能优良的板材置于底层。早期的中大功率日照油浸式变压器采用陶瓷基板改善散热,这种技术为适应大功率的需要,发展成为直接键合铜技术(Direct Copper Bond,DCB),但因为陶瓷基板易碎,在基板上安装散热器困难,功率等级不能做得很大。后来这一技术发展为用绝缘金属基板(Insutalted Mental Substrate,IMS)直接蚀刻线路。最为常见的基板为铝基板,它在铝散热板上直接敷绝缘聚合物,再在聚合物上敷铜,经蚀刻后,功率器件直接焊接在铜上。为了避免直接在IMS上贴片造成热失配,还可以直接采用铝板作为衬底,控制电路和功率器件分别焊于多层(大于四层,做变压器绕阻)FR-4印制板上,然后把焊有功率器件的一面通过导热胶粘接在已成型的铝板上固定封装。不少日照油浸式变压器为了更利于导热、防潮、抗震,进行了压缩密封。最常用的密封材料是硅树脂,但也有采用聚氨酯橡胶或环氧树脂材料。后两种方式绝缘性能好,机械强度高,导热性能好,成为近年来日照油浸式变压器的发展趋势之一,是提高功率密度的关键技术。

  二次集成和封装技术——为提高功率密度,近年开发的日照油浸式变压器无一例外采用表面贴装技术。由于日照油浸式变压器的发热量严重,采用表面贴装技术一定要注意贴片器件和基板之间的热匹配,为了简化这些问题,最近出现了MLP(Multilayer Polymer)片状电容,它的温度膨胀系数和铜、环氧树脂填充剂以及FR4 PCB板都很接近,不易出现象钽电容和磁片电容那样因温度变化过快而引起电容失效的问题。另外为进一步减小体积,二次集成技术发展也很快,它是直接购置裸芯片,经组装成功能后封装,焊接于印制板上,然后键合。这一方式功率密度更高,寄生参数更小,因为采用相同材料的基片,不同器件的热匹配更好,提高了日照油浸式变压器的抗冷热冲击能力。李泽元教授领导的CPES在工艺上正在研究IPEM(IntegratedPower Electronics Module),它是一种三维的封装结构,主要针对功率电路,取代线键合技术。

  扁平变压器和磁集成技术——磁性元件往往是日照油浸式变压器中体积最大、最高的器件,减小磁性元件的体积就提高了功率密度。在中大功率日照油浸式变压器中,为满足标准高度的要求,大部分的专业生产厂家自己定做磁芯。而现有的磁性供应商只有飞利浦可以提供通用的扁平磁芯,且这种变压器的绕组制作也存在一定难度。采用这种磁芯可以进一步减小体积,缩短引线长度,减小寄生参数。CPES一直在研究一种磁集成技术,福州大学的陈为教授3年前在CPES研究了磁集成技术,他们做的一个样机是半桥电路,输出整流采用倍流整流技术,而且输出端的两个电感跟主变压器集成在一个铁芯里,最后达到的功率密度为300W/in3。倍流整流技术适用于输出电流大,对di/dt要求高的场合,比如在实现VRM的电路中就常常用这种整流电路。

  电路拓扑发展趋势

  dc dc日照油浸式变压器变换器电路拓扑的主要发展趋势如下:

  高频化:为缩小变换器的体积,提高其功率密度,并改善动态响应,小功率DC-DC变换器频率将由现在的200-500kHz提高到1MHz以上,但高频化又会产生新的问题,如:损耗以及无源元件的损耗增大,高频寄生参数以及高频EMI的问题等。

  软:为提高效率采用各种软技术,包括无源无损(吸收网络)软技术,有源软技术,如:ZVS/ZCS谐振、准谐振、恒频零技术等,减小损耗以及应力,以实现高效率的高频化。  低压输出:例如现代微处理器的VRM电压将为1.1-1.8V,便携式电子设备的DC-DC变换器输出电压为1.2V,特点是负载变化大,多数情况下工作低于备用模式,长期轻载运行。要求DC-DC变换器具有如下特征:a)负载变化的整个范围内效率高。b)输出电压低(CMOS电路的损耗与电压的平方成正比,供电电压低,则电路损耗小)。c)功率密度高。这种采用集成芯片的封装形式。

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